进入20世纪80年代后，由于半导体集成电路工艺的日益完善，出现了利用半导体工艺中的扩散技术，将敏感元件和应变材料合二为一，制成了扩散型压阻式传感器。这类传感器的应变电阻与基底是同一块材料，通常是半导体硅。因此统称为扩散硅压阻式传感器。由于取消了胶接，它的滞后、蠕变及老化现象大为减小，而且不存在胶层热阻和妨碍，使导热性能大为改善。此外，由于这类传感器是用半导体硅做芯片，利用集成工艺电路制成 ，如果在制成传感器芯片时，同时设计制造一些温度补偿、信号处理与放大电路，就能构成集成传感器。如果再进一步与微处理器相结合，就能做成智能式传感器。因此，这类传感器一出现，就受到人们极大的重视，得到迅猛的发展。

硅压阻式传感器由外壳、硅膜片的引线组成，其结构原理如下所示：

1-低压腔；2-高压腔；3-硅杯；4-引线；5-硅膜片

其核心部分是做成杯状的硅膜片，通常叫做硅杯。外壳则因用途不同而异。在硅膜片上，用半导体工艺中的扩散掺杂法做四个相等的电阻，经蒸镀铝电极及连接线，接成惠斯登电桥，再用压焊法与外引线相连。膜片的一侧是和被测系统相连接的高压腔，另一侧是低压腔，通常和大气相通，也有做成真空的。当膜片两边存在压力差而发生形变时，膜片各点产生应力，从而而使扩散电阻的阻值发生变化，电桥失去平衡，输出相应的电压，其电压大小就反映了膜片所受的压力差值。

通常硅膜片在受压时的形态变化非常微小，其弯曲挠度远小于硅膜片的厚度，且膜片常取圆形。因而求膜片上的应力分布，可以归结为弹性力学中的小挠度薄板应变问题。

设均布压力为P，则薄板上各点的径向压力σ₁和切向应力σ_t与其作用半径r有如下关系：

σr= 3P/8h²  [r₀²（1+μ）-r² （3+μ）]

σt= 3P/8h²  [r₀²（1+μ）-r² （3+μ）]

式中：r₀ h-----膜片的工作面半径、厚度；  μ---泊松比（硅取μ=0.35）.

硅膜片上的应力分布如图所示。

由图可见，均布压力P产生的应力是不均匀的，且有正应力区和负应力区。利用这一特性，选择适当的位置布置电阻，使其接入电桥的四臂中，两两电阻在受力时一增一减，且阻值增加的两个电阻和阻值减小的两个电阻分别对接，如图所示。

这样既提高输出灵敏度，又部分地消除阻值随温度而变化的影响。因此，压阻式传感器广泛采用全等臂差动桥路。

应用原理试说：

1、扩散硅压力传感器选用进口扩散硅压力芯片制成，当外界液位发生变化时，压力作用在不锈钢隔离膜片上，通过隔离硅油传递到扩散硅压力敏感元件上引起电桥输出电压变化，经过精密的补偿技术、信号处理技术、转换成标准的电流信号。该电流信号的变化正比于液位的变化。

2、当被测介质（液体）的压力作用于传感器时，压力传感器将压力信号转换成电信号，经差分放大和输出放大器放大，最后经V/A电压电流转换成与被测介质（液体）的液位压力成线性对应关系的4-20mA标准电流输出信号。